霍尔接近开关HB-K-M8、相位开关直径M8mm具有无触点、无磨损、无火花、低功耗、寿命长、灵敏度、工作频率的特点，它能在各种恶劣环境下可靠稳定地工作。对于开关型霍尔IC，其基本的应用是作为种接近开关，如可用作霍尔无触点开关、限位开关、方向开关、压力开关、转速表等；线性型霍尔IC可用于非接触测距、无触点电位器、无刷马达、磁场测量的斯计、磁力探伤等。
霍尔接近开关HB-K-M8、相位开关可识别相位无触点, 其输出端内部般为开路集电晶体管或开路发射输出器形式，因此它能方便地与各种负载配接，如可直接驱动晶体管、LED、光电耦合器、单双向晶闸管和小电流继电器等，并能和TTL及CMOS数字电路、PLC输入口、固态继电器、各种交直流电子开关接口。图5~图6示出各种驱动接口方式，其中图5中的霍尔IC为开路集电输出，图6中的霍尔IC为开路发射输出形式。
霍尔开关HB-K-M8工作原理及应用范围
霍尔集成电路是霍尔元件与电子线路体化的产品，它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知切与磁有关的物理量，又能输出相关的电控信息，所以霍尔集成电路既是种集成电路，又是种磁敏传感器，它般采用DIP或扁平封装。
霍尔集成电路的原理
当将块通电的半导体薄片垂直置于磁场中时，薄片两侧由此会产生电位差，此现象称为霍尔效应。此电位差称为霍尔电势，电势的大小E=KIB/d，式中K是霍尔系数，d为薄片的厚度，I为电流，B为磁感应强度。图1示出霍尔效应的原理：在三维空间内，霍尔半导体平板在XOY平面内，它与磁场方向垂直，磁场指向Y轴的方向，沿X轴方向通以电流I，由于运动的电荷与磁场的相互作用，结果在Z轴方向上产生了霍尔电势E，般其值可达几十毫伏。为此，将霍尔元件与电子线路集成在块约2mm*2mm的硅基片上，就做成了温度稳定性好、可靠性的霍尔集成电路。
使用注意事项
1、霍尔集成电路的使用电压范围较宽，但实用时电压宜低不宜，般在4.5-6V为宜，过的电源电压会引起电路的温升而使电路工作不稳定。
2、开关型霍尔IC驱动负载时，其负载电流应小于霍尔IC的负载能力。为了使霍尔的输出电压幅度大，般其输出端加接较大阻值的负载电阻。
3、霍尔IC驱动的负载能力为感性时，应在输出端加接续流二管。
4、驱动与霍尔IC不同的电平的负载时好加接隔离与缓冲，可利用光电耦合器或加三管驱动。
5 长距离传输霍尔IC信号时，可在开关输出与地之间加接只退耦电容器，消除干扰脉冲；传送线性霍尔IC的输出信号应使用同轴电缆线，但长不可大于几十米。
6 大多数霍尔IC的磁感应距离在5-10毫米，须在实用时加以控制，并安置的发信磁钢应与霍尔IC的感应点正对，减小磁路磁阻，使发信与检测可靠准确。
7 为了增强开关或线性霍尔IC的磁感应灵敏度，使用时亦可利用小磁钢增强磁偏置或加大发信磁钢的面积。
更新时间：2023/11/9 12:11:10
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